I. 제품 포지셔닝: 호환 고주파수 대역에 초점을 맞춘 핵심 증폭 구성요소
이 모듈은 5100{10}}5300MHz 주파수 대역을 준수하도록 특별히 설계된 고성능 RF 전력 증폭기 코어 장치입니다. 이 대역은 산업정보기술부에서 실내 광대역 무선 액세스, 무선 LAN 및 기타 통신 시스템용으로 명확하게 지정했습니다. 또한 위성 수신 장비의 국부 발진기 주파수(5150MHz) 및 레이더 시스템의 확장 주파수 대역(5300~5500MHz)과도 높은 상관관계가 있습니다. 정확한 신호 전력 증폭을 통해 통신 시스템의 적용 범위와 신호 안정성을 크게 향상시켜 5G 실내 적용 범위, 전문 무선 통신 및 기타 시나리오에 대한 핵심 전력 지원을 제공할 수 있습니다. II. 핵심 기술: GaN은 고주파 성능의 획기적인 발전을 가능하게 합니다
실리콘 카바이드- 기반 질화 갈륨(SiC-GaN) 기술을 활용하여 5GHz 이상의 주파수 대역에서 기존 LDMOS 장치에 비해 세 가지 주요 성능 향상을 달성합니다.
* **높은-주파수 효율 및 전력 밀도 장점:** GaN 소재는 3.4eV(실리콘은 1.1eV에 불과)의 밴드갭을 가지며, 5100~5300MHz 대역에서 51%의 전력{3}}추가 효율(PAE)을 달성합니다. 이는 동일한 주파수 대역의 LDMOS 장치에 비해 10~15% 향상된 성능입니다. 안정적인 50W 출력으로 모듈 크기가 40% 감소하여 소형화 장치의 요구 사항을 완벽하게 충족합니다.
* **광대역 선형성 및 -간섭 방지 기능:** 통합 ADPD(적응형 디지털 전치 왜곡) 기술은 100MHz 순간 대역폭 내에서 선형성을 -50dBc 미만으로 최적화합니다. 50-ohm 표준 임피던스 정합 설계와 결합되어 인접 채널 간섭을 효과적으로 억제하여 위성 수신기와 같은 주변 장비에 대한 신호 간섭을 방지합니다. 극한 환경 신뢰성 설계: 올메탈 캐비티 패키지와 접착 방열 구조를 활용하여 열 저항이 0.7도/W로 낮아 -40도 ~ 70도의 넓은 온도 범위에서 안정적인 작동이 가능합니다. 내장된 과전류, 과열 및 VSWR 보호 회로는 VSWR이 2.0:1을 초과하면 자동으로 전력 감쇠를 시작하여 107시간의 MTTF(평균 고장 시간)를 달성합니다.
|
아니요. |
목 |
데이터 |
단위 |
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1 |
빈도 |
200-300MHz(50W) 5100-5300MHz(50W) 5700-5900MHz(50W) |
MHz |
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2 |
테스트 전압 |
28 |
V |
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3 |
현재의 |
3-4.5 |
A |
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4 |
산출 |
50 |
W |
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5 |
얻다 |
47 |
데시벨 |
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6 |
출력 안정성 |
0.5 |
데시벨 |
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7 |
커넥터 |
SMA /여성 |
|
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8 |
출력 커넥터 VSWR |
1.30 이하(전원 없음 및 VNA 테스트) |
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9 |
전원선 |
빨간색+검은색+활성화 와이어 |
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10 |
제어 활성화 |
높음 켜짐 낮음 꺼짐 |
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11 |
아웃 쉘 크기 |
125*60*20 |
mm |
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12 |
무게 |
255 |
g |
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13 |
작업 온도 |
-40~+65 |
도 |
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14 |
아웃 쉘 소재 |
알류미늄 |
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|
15 |
진동 필요 |
승용차 적재OK |
|
무선 주파수 전력 증폭기 모듈은 다양한 무선 신호 간섭 장치 제조의 주요 구성 요소입니다. 드론 대결, 모바일 신호 차단기, 신호 증폭 장치 등에 사용할 수 있습니다.
고객 요구 사항에 따른 맞춤화를 지원합니다. 100MHZ-6GHz GPS 위치 확인, 내비게이션, 원격 제어, 이미지 전송 및 기타 신호, 전력 증폭기에 대한 주파수 대역을 사용자 정의합니다.
우리의 독립적인 R&D 역량은 우리의 가장 큰 장점입니다. 당사 제품의 전류 및 발열량은 시장 동종 제품보다 훨씬 적으며 맞춤형 BROADBAND, GAN, DDS 등을 지원합니다.


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